En chino, "triodo" [1] (también llamado transistor) es simplemente un término general para dispositivos amplificadores con tres pines. El término "triodo", tal como se usa comúnmente, puede referirse a varios dispositivos diferentes.
Como puedes ver, aunque todos se llaman "triodo", los términos en inglés son bastante diferentes. La palabra "triodo" es en realidad un término pictográfico exclusivamente chino.
"Triodo" es la única traducción al inglés de "triodo" en el diccionario-inglés de chino. Esto está relacionado con la apariencia inicial del triodo electrónico y representa el objeto original al que se hace referencia con la palabra "triodo". Otros dispositivos llamados "triodo" en chino no deberían traducirse como "triodo" en la traducción real. Triodo (un tipo de tubo de vacío)
Transistor de unión bipolar (BJT)
Puerta de unión FET (transistor de efecto de campo)
Transistor de efecto de campo semiconductor-óxido-metálico (MOS FET)
Transistor de efecto de campo con ranura en V (VMOS)
Nota: Si bien los tres parecen ser transistores de efecto de campo, los MOS FET y los transistores de efecto de campo con ranura en V son estructuras unipolares, en contraste con los transistores bipolares. Por lo tanto, también pueden denominarse colectivamente transistores de unión unipolar (JJT).
Los JJT son transistores de efecto de campo no-aislados, mientras que los MOS FET y VMOS FET son transistores de efecto de campo aislantes.
VMOS es un nuevo tipo de transistor de potencia de alta-corriente y alta-ganancia (entre-canales) mejorado respecto al MOS. La diferencia radica en el uso de una ranura en V-, que aumenta significativamente el factor de amplificación y la corriente de funcionamiento del transistor MOS. Sin embargo, también aumenta significativamente la capacitancia de entrada del MOS. Es una versión mejorada de alta-potencia del transistor MOS, pero su estructura difiere mucho del MOS tradicional. VMOS solo tiene transistores MOS en modo de mejora-y no tiene los transistores MOS en modo de agotamiento-exclusivos de los transistores MOS tradicionales.
